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性能概述基本信息主要性質(zhì)應(yīng)用應(yīng)用領(lǐng)域制備參考文獻(xiàn) 專題
中文名稱 | 硫化鍺 |
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中文同義詞 | 硫化鍺;硫化鍺(II);一硫化鍺;硫化鍺GES;5N硫化鍺;99.999%硫化鍺 |
英文名稱 | GERMANIUM (II) SULFIDE |
英文同義詞 | metel basisGermanium sulfide (GeS GeS);Germanium(II) sulfide(GeS);Germanium(Ⅱ)sulfide(GeS);GERMANIUM (II) SULFIDE;GERMANIUM MONOSULFIDE;GERMANIUM SULFIDE;Germanium sulfide (GeS);germaniumsulfide(ges) |
CAS號 | 12025-32-0 |
分子式 | GeS |
分子量 | 104.69 |
EINECS號 | 234-704-6 |
相關(guān)類別 | 化工原料;原料;metal chalcogenides;Catalysis and Inorganic Chemistry;ChalcogenidesChemical Synthesis;Germanium;Materials Science;Metal and Ceramic Science |
Mol文件 | 12025-32-0.mol |
結(jié)構(gòu)式 | ![]() |
熔點(diǎn) | 615 °C (lit.) |
---|---|
沸點(diǎn) | 1503.99°C (estimate) |
密度 | 4.100 |
形態(tài) | 晶體 |
顏色 | 黑色 |
水溶解性 | 0.24g/100mL H2O [CRC10] |
水解敏感性 | 7: reacts slowly with moisture/water |
晶體結(jié)構(gòu) | GeSe type |
晶系 | Nogata |
空間群 | Pbnm |
晶格常數(shù) | a/nmb/nmc/nmα/oβ/oγ/oV/nm30.42991.04810.36469090900.1643 |
EPA化學(xué)物質(zhì)信息 | Germanium sulfide (GeS) (12025-32-0) |
性能
硫化鍺具有獨(dú)特的光學(xué)和電子變速性能,以及其高穩(wěn)定性、儲量豐富、環(huán)境友好、低毒等性能,更為重要的是其禁帶寬度小,硫化鍺薄膜具有吸收單電子的多態(tài)激子的潛力,有望應(yīng)用于新型光電探測器件。
概述
硫化鍺,是一種半導(dǎo)體材料。由鍺粉和硫蒸氣或硫化氫和硫的混合氣體反應(yīng)制取,為鍺冶金中間產(chǎn)品。硫化鍺具有價廉無毒的特點(diǎn),是制作下一代太陽電池的理想材料;而且它還能擴(kuò)展鋰離子電池的容量,為超級電容器增加存儲。
基本信息
中文名:硫化鍺 英文名:germaniumdisulphide
分子式:GeS2 性狀:白色粉末
溶解性:不溶于水和無機(jī)酸(包括強(qiáng)酸),易溶于熱堿
穩(wěn)定性:不穩(wěn)定,高溫易升華和被氧化,在潮濕空氣或惰性氣氛中離解
主要性質(zhì)
1、硫化鍺,白色粉末。正交晶系結(jié)構(gòu)。
2、密度2.19g/cm3。熔點(diǎn)800℃。
3、熔融態(tài)為鮮棕色透明體,熔點(diǎn)5.81g/cm3。
4、不溶于水和無機(jī)酸(包括強(qiáng)酸),易溶于熱堿,溶于氨或硫化二氨中生成亞酰胺鍺。
應(yīng)用
硫化鍺是高吸收微波輻射的物質(zhì),因此當(dāng)采用微波輻射進(jìn)行硫化揮發(fā)時,只有其中的硫化物選擇性吸收微波輻射,產(chǎn)生瞬間高溫,使鍺與硫反應(yīng)生成硫化鍺,而硫化鍺繼續(xù)吸收微波輻射,達(dá)到升華和揮發(fā)的溫度,微波輻射透射性很強(qiáng),而且均勻,硫化鍺的揮發(fā)效率高,也不會產(chǎn)生過高的局部高溫,所得的主要是硫化鍺,利于后續(xù)工序處理,較之煙化爐,回轉(zhuǎn)窯的間接加熱方式和通過介質(zhì)進(jìn)行熱傳導(dǎo)優(yōu)越。
應(yīng)用領(lǐng)域
太陽能電池:美國北卡羅來納州立大學(xué)的研究人員“培育”出一種粉紅的金屬硫化鍺(GeS) “納米花朵”,可以用來創(chuàng)建下一代太陽電池和超高密度的能量存儲系統(tǒng)??茖W(xué)家在熔爐中加熱硫化鍺粉末,直到它開始蒸發(fā)氣化。一旦硫化鍺粉末的粒子游離進(jìn)入空中,便被吹到熔爐內(nèi)溫度相對低的區(qū)域,在那里沉淀固化為20~30 納米厚、100納米長的薄片。隨著越來越多的薄片不斷增加,它們開始相互分叉,形成一種看起來酷似花的結(jié)構(gòu),最終研制出硫化鍺“納米花朵”。它盡管很小,但花瓣的形狀使其表面積變大,因此可儲存不少的能量,有望帶來一場電池革命。例如:應(yīng)用于智能手機(jī)電池。
圖:粉紅的金屬硫化鍺(GeS)“納米花朵”
硫化鍺玻璃薄膜:使用氯化鍺和正鍺酸乙脂為溶膠凝膠先驅(qū)體, 用2 種不同的操作步驟制備溶膠, 采用旋轉(zhuǎn)涂膜技術(shù)在單晶硅片和玻璃基片上制備硫化鍺薄膜;Ge 硫系玻璃薄膜也可用真空鍍膜技術(shù)如熱蒸鍍和離子濺射來制備, 這些薄膜在光電子領(lǐng)域有大量的應(yīng)用。它的低聲子能量和高折射率可導(dǎo)致低的非輻射衰減和大的發(fā)射截面, 從而獲得較高增益,是光通信和光傳感技術(shù)的高速發(fā)展和應(yīng)用的很好的集成光學(xué)器件。
制備
(1)將質(zhì)量比為2:1的碳酸鈣和純度水平為99.5%的單質(zhì)鈣的混合物和質(zhì)量比為4:3:3的純度水平為99.9%的鍺粉、二氧化鍺、一氧化鍺的混合物以摩爾比為1:1的量裝載到石英管中,在真空封管機(jī)上排出至毫托壓力,在真空下利用氫氧焰炬密封,在1000℃下退火20小時,冷卻至室溫后,將反應(yīng)產(chǎn)物在20w%的HCl溶液中攪拌5天,溫度控制在-20℃,得到產(chǎn)物后,依次用超純水,甲醇洗滌,干燥得到純化的鍺多層石墨烯類似物GeH。 (2)將上述產(chǎn)物GeH和純度水平為99.5%的硫粉以1:5的摩爾比添加到石英管中,利用真空封管機(jī),在真空下密封,然后在800℃下退火8小時,冷卻至室溫后,依次用二硫化碳和超純水洗滌,干燥,得到層狀硫化鍺。
參考文獻(xiàn)
[1]http://baike.baidu.com/link?url=y_QROLgcQ8uTLwX31Z-wPo1trauLjhn7RCg1nYXNglwUluM9gEf2tZlzD0DiursLnvqPKEq0rlOY2G61HCcMvotVidC9RN0xBX5wVa07UgfvjZqozQMX8T92SUR-M1qS
[2] 李忠東. 太陽能研究新成果[J]. 太陽能, 2013(2):39-41.
[3] 徐鍵, 夏海平, 張約品,等. 不同先驅(qū)體溶膠-凝膠法制備的硫化鍺玻璃薄膜[J]. 硅酸鹽學(xué)報(bào), 2004, 32(8):1029-1032.
生產(chǎn)方法
1.將鍺與硫磺在1000℃直接合成;在硫化氫氣流中將鍺加熱到850℃升華;在氫氣流中使二硫化鍺分解;使二硫化鍺與鍺一起共同加熱;使硫化氫及氫在二氧化鍺中反應(yīng)等。
2.將5g二氧化鍺置于250mL燒杯中,用水潤濕,加入25mL 10mol/L氫氧化鈉水溶液,平穩(wěn)地加熱。溶液冷卻后,用6mol/L鹽酸中和(不可沸騰,避免所生成的四氯化鍺揮發(fā))。繼續(xù)加入鹽酸直到已沉淀的氫氧化鍺重新溶解為止。將約150mL透明溶液移至500mL三角燒瓶中,加入50mL濃鹽酸(使溶液的酸度為3mol/L)。再加入25g 50%的次磷酸,在水浴上加熱2~4h。將此溶液在水中冷卻,用50~60mL濃氨水進(jìn)行中和,直到所生成的氫氧化鍺的沉淀不再消失。在加壓下向此溶液通入硫化氫直至飽和。將生成的紅棕色沉淀收集在古氏漏斗中,用以鹽酸調(diào)至微酸性的水洗滌。在五氧化二磷上進(jìn)行干燥。
安全說明 | 22-24/25 |
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WGK Germany | 3 |
提供商 | 語言 |
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SigmaAldrich | 英文 |
上游原料
硫磺二氧化鍺二硫化鍺鍺
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