砷化鎵

理化性質(zhì)半導體材料應用領(lǐng)域砷化鎵單晶制備外延材料的制備用途 用途與合成方法 MSDS 砷化鎵價格(試劑級) 上下游產(chǎn)品信息 專題

中文名稱	砷化鎵
中文同義詞	砷化鎵;砷化鎵(99.9999%-CA);砷化鎵, 99.999% (METALS BASIS);砷化鎵GAAS;砷化鎵4N-6N
英文名稱	Gallium arsenide
英文同義詞	GALLIUM ARSENIDE;Gallium arsenide (99.9999% Ga) PURATREM 25mm and down polycrystalline pieces;Gallium arsenide wafer;Galliumarsenidemmanddownpolycrystallinepieces;GALLIUM ARSENIDE, SINGLE CRYSTAL SUBSTR&;Gallium arsenide, pieces, 99.999% metals basis;Galliumarsenide(99.9999%-Ga)PURATREM;GALLIUM ARSENIDE: (99.9999% GA) PURATREMECES
CAS號	1303-00-0
分子式	AsGa
分子量	144.64
EINECS號	215-114-8
相關(guān)類別	有機硅氧聚合物;鎵;催化和無機化學;inorganic compound;Electronic  Materials;Materials  Science;Micro/Nanoelectronics;Arsenides;Ceramics;Metal  and  Ceramic  Science;Inorganics
Mol文件	1303-00-0.mol
結(jié)構(gòu)式

砷化鎵 性質(zhì)

砷化鎵 用途與合成方法

理化性質(zhì)

砷化鎵，化學式GaAs。分子量144.64。深灰色立方晶體。比重5.4。熔點1，238℃。屬Ⅲ、Ⅴ族化合物半導體，禁帶寬度和電子遷移率比元素半導體鍺及硅的大，制成的器件有較好的耐高溫特性及頻率特性; 發(fā)光特性好及光電轉(zhuǎn)換率高。高于600℃時被空氣氧化，無氧化劑存在時僅被酸緩慢地侵蝕。由鎵和砷在高溫及一定的砷蒸氣壓下合成。砷化鎵可用于制作變?nèi)荻O管、場效應管、發(fā)光二極管，以及太陽能電池、微波發(fā)生器和半導體激光器等。

砷化鎵被譽為“半導體貴族”，是VCSEL、EEL等光電子產(chǎn)品的基板材料和襯底材料，也是雷達、電子計算機、人造衛(wèi)星、宇宙飛船等高新產(chǎn)品中不可或缺的材料。
目前，全球砷化鎵單晶市場規(guī)模體量偏小但增長速率較快。據(jù)統(tǒng)計，2013年全球砷化鎵單晶市場規(guī)模僅1.98億美元，至2018年，砷化鎵單晶市場規(guī)模達4.59億美元，年均復合增長率達到18.31%。

半導體材料

砷化鎵是最重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料，其晶格結(jié)構(gòu)為閃鋅礦型，晶格常數(shù)為5.65A，其解理面為{110}面，原子間的結(jié)合以共價鍵為主，伴有明顯的離子鍵成分. 在

安全信息

MSDS信息

砷化鎵 價格(試劑級)

砷化鎵 上下游產(chǎn)品信息

上游原料

鎵砷