碲化鎵

簡介制備 用途與合成方法 MSDS 碲化鎵價格(試劑級) 上下游產(chǎn)品信息 專題

中文名稱	碲化鎵
中文同義詞	碲化鎵;碲化鎵(II), 痕量分析;碲化鎵, 99.999% (METALS BASIS);碲化鎵(II), 99.999% (METALS BASIS);碲化鎵(II);一碲化鎵;碲化鎵GATE;4N碲化鎵
英文名稱	GALLIUM TELLURIDE
英文同義詞	GALLIUM(II) TELLURIDE;GALLIUM TELLURIDE;galliumtelluride(gate);Gallium(II) telluride, 99.999% (metals basis);Gallium monotelluride;Gallium(II) telluride (GaTe);Gallium(II) telluride lump;Gallium(II) telluride, 99.999%, trace metals basis
CAS號	12024-14-5
分子式	GaH2Te
分子量	199.34
EINECS號	234-690-1
相關(guān)類別	鎵;催化和無機(jī)化學(xué);高純材料;碲化物;原料
Mol文件	12024-14-5.mol
結(jié)構(gòu)式

碲化鎵 性質(zhì)

碲化鎵 用途與合成方法

簡介

碲化鎵（GaTe）中陽離子空位對晶體管性能的影響機(jī)制，并且通過抑制這種作用，獲得了一種高性能的光電晶體管器件。GaTe是一個重要的III-VI族半導(dǎo)體層狀化合物材料，直接帶隙約1.7eV，在光電子器件、輻射探測器及太陽能電池領(lǐng)域極具應(yīng)用研究價值。然而由于其復(fù)雜的單斜晶體結(jié)構(gòu)及晶體的高度各向異性，使其在樣品制備及器件加工方面存在一定的困難，目前少有關(guān)于GaTe納米片的光電性能研究。

制備

一種二維碲化鎵材料的制備方 法，其特點是采用以下步驟：步驟一、采用垂直布里奇曼晶體生長法，將Ga:Te按物質(zhì)的量比1:1進(jìn)行配料，制備GaTe單晶體。步驟二、在Ar氣氛下的米開羅那Universal2440-750手套箱內(nèi)，選取大塊表面光 滑無褶皺的GaTe體材料，并沿自然解理面將其分離為多塊。步驟三、在Ar氣氛下的米開羅那Universal2440-750手套箱內(nèi)，使用思高膠帶從表層光亮、損傷較小的GaTe塊體材料表面撕離一塊厚度約為6-8μm的GaTe薄片。步驟四、在Ar氣氛下的米開羅那Universal2440-750手套箱內(nèi)，將帶有GaTe薄片的思高膠帶多次粘合分離，直至膠帶表面不再光亮，成功附著較為密集的數(shù)百納米厚度的GaTe片層。

安全信息

MSDS信息

碲化鎵 價格(試劑級)

碲化鎵 上下游產(chǎn)品信息