國(guó)儀量子鎢燈絲掃描電鏡
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SEM3200

國(guó)儀量子鎢燈絲掃描電鏡核心參數(shù)

加速電壓	0.2-30KV	放大倍數(shù)	1-300,000x（底片倍率） 1-1000,000x（屏幕倍）
分辨率	3nm@30KV

產(chǎn)品特點(diǎn)

掃描電子顯微鏡SEM3200
SEM3200是一款高性能、應(yīng)用廣泛的通用型鎢燈絲掃描電子顯微鏡。擁有出色的成像質(zhì)量、可兼容低真空模式、在不同的視場(chǎng)范圍下均可得到高分辨率圖像。
大景深，成像富有立體感。豐富的擴(kuò)展性，助您在顯微成像的世界中盡情探索。

詳細(xì)介紹

掃描電子顯微鏡
SEM3200

SEM3200是一款高性能、應(yīng)用廣泛的通用型鎢燈絲掃描電子顯微鏡。擁有出色的成像質(zhì)量、可兼容低真空模式、在不同的視場(chǎng)范圍下均可得到高分辨率圖像。
大景深，成像富有立體感。豐富的擴(kuò)展性，助您在顯微成像的世界中盡情探索。

豐富的擴(kuò)展性 SE\BSE\EDS\EBSD等

光學(xué)導(dǎo)航可快速定位目標(biāo)樣品和感興趣區(qū)域

*大圖拼接可實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)的采圖和拼接，展示超大視野畫(huà)面

圖像混合成像（SE+BSE）在一個(gè)圖像中觀察到樣品的成分和表面信息

雙陽(yáng)極結(jié)構(gòu) 雙陽(yáng)極結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，提升了低電壓下的分辨率和成像質(zhì)量

*低真空模式在低真空下提供樣品表面細(xì)節(jié)和形貌，軟件一鍵切換真空狀態(tài)

（*為選配件）

產(chǎn)品特點(diǎn)（*為選配件）

低電壓

碳材料樣品，低電壓下，穿透深度較小，可以獲取樣品表面真實(shí)形貌，細(xì)節(jié)更豐富。

毛發(fā)樣品，在低電壓下，電子束輻照損傷減小，同時(shí)消除了荷電效應(yīng)。

低真空

過(guò)濾纖維管材料，導(dǎo)電性差，在高真空下荷電明顯，在低真空下，無(wú)需鍍膜即可實(shí)現(xiàn)對(duì)不導(dǎo)電樣品的直接觀察。

大視場(chǎng)

生物樣品，采用大視場(chǎng)觀察，能夠輕松獲得瓢蟲(chóng)整體形貌及頭部結(jié)構(gòu)細(xì)節(jié)，展現(xiàn)跨尺度分析。

導(dǎo)航&防碰撞

光學(xué)導(dǎo)航

想看哪里點(diǎn)哪里，導(dǎo)航更輕松
標(biāo)配倉(cāng)內(nèi)攝像頭，可拍攝高清樣品臺(tái)照片，快速定位樣品。

手勢(shì)快捷導(dǎo)航

可通過(guò)雙擊移動(dòng)、鼠標(biāo)中鍵拖動(dòng)、框選放大，進(jìn)行快捷導(dǎo)航
如框選放大：在低倍導(dǎo)航下，獲得樣品的大視野情況，可快速框選您感興趣的樣品區(qū)域，提高工作效率。

防碰撞技術(shù)

采取多維度的防碰撞方案：
1. 手動(dòng)輸入樣品高度，精準(zhǔn)控制樣品與物鏡下端距離，防止發(fā)生碰撞；
2. 基于圖像識(shí)別和動(dòng)態(tài)捕捉技術(shù)，運(yùn)動(dòng)過(guò)程中對(duì)倉(cāng)內(nèi)的畫(huà)面進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)；
3.*硬件防碰撞，可在碰撞一瞬間停止電機(jī)，減少碰撞損傷。

特色功能

智能輔助消像散

直觀反映整個(gè)視野的像散程度，通過(guò)鼠標(biāo)點(diǎn)擊清晰處，可快速調(diào)節(jié)像散至最佳。

自動(dòng)聚焦

一鍵聚焦，快速成像。

自動(dòng)消像散

一鍵消像散，提高工作效率。

自動(dòng)亮度對(duì)比度

一鍵自動(dòng)亮度對(duì)比度，調(diào)出灰度合適圖像。

多種信息同時(shí)成像

SEM3200軟件支持一鍵切換SE和BSE的混合成像?？赏瑫r(shí)觀察到樣品的形貌信息和
成分信息。

快速圖像旋轉(zhuǎn)

拖動(dòng)一條線，圖像立刻“擺正角度”。

豐富拓展性

掃描電子顯微鏡不僅局限于表面形貌的觀察，更可以進(jìn)行樣品表面的微區(qū)成分分析。
SEM3200接口豐富，除支持常規(guī)的二次電子探測(cè)器（ETD）、背散射電子探測(cè)器（BSED）、X射線能譜儀（EDS）外，也預(yù)留了諸多接口，如電子背散射衍射（EBSD）、陰極射線（CL）等探測(cè)器都可以在SEM3200上進(jìn)行集成。

背散射電子探測(cè)器
二次電子成像和背散射電子成像對(duì)比

背散射電子成像模式下，荷電效應(yīng)明顯減弱，并且可以獲得樣品表面更多的成分信息。

鍍層樣品：

鎢鋼合金樣品：

四分割背散射電子探測(cè)器——多通道成像

探測(cè)器設(shè)計(jì)精巧，靈敏度高，采用4分割設(shè)計(jì)，無(wú)需傾斜樣品，可獲得不同方向的陰影像以及成分分布圖像。

四個(gè)單通道的陰影像

成分像

能譜

LED小燈珠能譜面分析結(jié)果。

電子背散射衍射

鎢燈絲電鏡束流大，完全滿足高分辨EBSD的測(cè)試需求，能夠?qū)饘?、陶瓷、礦物等多晶材料進(jìn)行晶體取向標(biāo)定以及晶粒度大小等分析。
該圖為Ni金屬標(biāo)樣的EBSD反極圖，能夠識(shí)別晶粒大小和取向，判斷晶界和孿晶，對(duì)材料組織結(jié)構(gòu)進(jìn)行精確判斷。

應(yīng)用案例

產(chǎn)品參數(shù)

型號(hào)			SEM3200A	SEM3200
電子光學(xué)系統(tǒng)	電子槍類(lèi)型		預(yù)對(duì)中型發(fā)叉式鎢燈絲電子槍
	分辨率	高真空	3 nm @ 30 kV（SE）
			4 nm @ 30 kV（BSE）
			8 nm @ 3 kV（SE）
		*低真空	3 nm @ 30 kV（SE）
	放大倍率		1-300,000x（底片倍率）
	放大倍率		1-1000,000x（屏幕倍）
	加速電壓		0.2 kV～30 kV
成像系統(tǒng)	探測(cè)器		二次電子探測(cè)器（ETD）
	探測(cè)器		背散射電子探測(cè)器、低真空二次電子探測(cè)器、*能譜儀EDS等
	圖像保存格式		TIFF、JPG、PNG
真空系統(tǒng)	真空模式	高真空	光學(xué)導(dǎo)航
	真空模式	低真空	光學(xué)導(dǎo)航
	控制方式		全自動(dòng)控制
	渦輪分子泵		≥ 240 L/S
	機(jī)械泵		200 L/min （50 Hz）
樣品室	攝像頭		光學(xué)導(dǎo)航
	攝像頭		樣品倉(cāng)內(nèi)監(jiān)控
	樣品臺(tái)配置		三軸自動(dòng)	五軸自動(dòng)
	行程		X: 120 mm	X: 120 mm
			Y: 115 mm	Y: 115 mm
			Z: 50 mm	Z: 50 mm
			/	R: 360°
			/	T: -10°～ +90°
軟件	語(yǔ)言		中文
	操作系統(tǒng)		Windows
	導(dǎo)航		光學(xué)導(dǎo)航、手勢(shì)快速導(dǎo)航
	自動(dòng)功能		自動(dòng)亮度對(duì)比度、自動(dòng)聚焦、自動(dòng)像散
	特色功能		智能輔助消像散、*大圖拼接（選配軟件）
安裝要求	房間		長(zhǎng) ≥ 3000 mm，寬 ≥ 4000 mm，寬 ≥ 4000 mm
	溫度		20 ℃～25 ℃
	濕度		≤ 50 %
	電氣參數(shù)		電源AC 220 V(±10 %)，50 Hz，2 kVA